我們聲光調制器覆蓋從紫外到中紅外波段波長。產品具有調制帶寬范圍大、上升時間短、損傷閾值高、消光比高（可高達60dB）等優勢。針對一些特定的科研和工業應用領域，內部集成有射頻驅動電路的聲光調制器使系統集成更加便利、系統結構更加緊湊。
我們一站式供應各種類型的AOM,古奇AOM,聲光調制器,自由空間聲光調制器,聲光調制器aom,AOM聲光調制器,光纖調制器,聲光空間調制器，可提供選型、技術指導、安裝培訓、個性定制等全生命周期、全流程服務，歡迎聯系我們的產品經理！
聲光調制器AOM允許以遠遠超過機械快門（甚至高達70 MHz）的速率控制和調制光強度。我們的調制器針對低散射和高激光損傷閾值進行了優化。為了確定最佳的聲光調制器和RF驅動器解決方案，需要了解應用的上升時間，調制率，光束直徑和功率處理需求。
聲光調制器AOM使用晶體內的聲波來創建衍射光柵。隨著施加的RF信號的功率變化，衍射光的量成比例地變化。調制器可以像快門（以設定的頻率打開和關閉光）循環使用，也可以用作可變衰減器（動態控制透射光的強度）。
標準的自由空間聲光調制器用于對激光束的數字或模擬的強度調制。主要技術參數如下：
波長范圍：240nm 到 2100nm
驅動頻率：20MHz 到 350MHz
光學上升沿時間：5ns
調制帶寬：寬達100MHz
工作介質：二氧化碲、鉬酸鉛、熔融石英、石英晶體、燧石玻璃
使用數字射頻驅動器，外控TTL信號可以快速開關激光束；使用模擬射頻驅動器，可以調節輸出激光功率和輸入激光功率的比率，典型調節范圍為0%到85%。 最大調制帶寬或光學上升沿時間是超聲波穿越激光束時間的函數。因此，為了獲得最快的速度，一般將激光束聚焦在調制器中最小光斑。
特點
多種材質可選
偏振或非偏振可選
V型鍍膜（雙波長）
多通道定制可選
布儒斯特角可選
水冷式高功率處理可選
科學研究
激光數碼
激光顯示
激光醫療
激光鉆孔
激光切割
激光光閘
選擇調制器的最重要因素是所需的速度。這會影響材料的選擇，調制器設計和要使用的RF驅動器。調制器的速度由上升時間描述，該上升時間確定調制器可以對應用的RF驅動器做出響應的速度，并限制調制速率。上升時間與聲波穿過光束所需的時間成正比，因此受調制器內光束直徑的影響。
關于速度，調制器分為兩大類。速度非?？斓恼{制器可以提供高達?70 MHz的調制頻率，并且上升時間可以低至4 ns。輸入光束必須非常緊密地聚焦到調制器中才能達到該速度。較低頻率的調制器沒有此限制，但是可以接受較大的輸入光束。它們的上升時間通常是相對于輸入光束直徑指定的，單位為ns/mm。除了速度以外，在確定正確的調制器和RF驅動器時，我們還考慮其他選擇標準：
工作波長
光功率
所需的調制類型（模擬或數字）
光束直徑
所需的對比度
光偏振
大多數應用要求調制器的“開”和“關”狀態之間具有高對比度，因此需要使用一階衍射光束。這導致消光比為40dB或更高，但導致偏轉光束的通量較低（通常為85-90％）。在某些應用中，例如強度平衡，傳輸更為重要，并且?10dB的對比度是可以接受的。這允許使用未衍射的0階光束，通常導致>99％的光通量。
| 型號 | 波長nm | 上升時間ns/mm | 通光口徑mm | 射頻頻率MHz | 材料 |
| I-M110-4C19R19-3-GH93 | 193-266 | 110 | 4 | 110 | 熔融石英 |
| 3200-1220 | 257 | 10ns | 0.25 | 200 | 石英晶體 |
| I-M110-3C10BB-3-GH27 | 300-400 | 113 | 3 | 110 | 石英晶體 |
| I-M110-3C10T-3-GH72 | 355 | 113 | 3 | 110 | 石英晶體 |
| I-M80-6.5C10T-4-GH60 | 355 | 113 | 6.5 | 80 | 石英晶體 |
| I-M110-2C10B6-3-GH26 | 400-540 | 113 | 2 | 110 | 石英晶體 |
| 3200-121 | 442-488 | 153 | 0.32nm | 200 | 二氧化銻 |
| 3200-120 | 442-488 | 153 | 0.45 | 200 | 二氧化銻 |
| 3110-121 | 442-488 | 153 | 0.6 | 110 | 二氧化銻 |
| 3080-125 | 415-900 | 153 | 2 | 80 | 二氧化銻 |
| 3100-125 | 440-850 | 153 | 1.5 | 100 | 二氧化銻 |
| 3200-125 | 440-850 | 153 | 1.5 | 200 | 二氧化銻 |
| 3350-125 | 440-850 | 153 | 1.5 | 350 | 二氧化銻 |
| 3110-120 | 440-850 | 153 | 0.6 | 110 | 二氧化銻 |
| 3080-120 | 440-850 | 153 | 1 | 80 | 二氧化銻 |
| 3350-120 | 488-532 | 153 | 0.1 | 350 | 二氧化銻 |
| 3350-111 | 488-650 | 2x0.15 | 350 | 二氧化銻 | |
| I-M080-2C10B11-4-GH95 | 700-1000 | 113 | 2 | 80 | 石英晶體 |
| 3200-124 | 780-850 | 113 | 0.32 | 200 | 二氧化銻 |
| 3080-122 | 780-850 | 153 | 1 | 80 | 二氧化銻 |
| 3200-1113 | 870-1250 | 153 | 0.1 | 200 | 二氧化銻 |
| I-M041-2.5C10G-4-GH50 | 1030-1064 | 113 | 2.5 | 40.68 | 石英晶體 |
| I-M080-2C10G-4-AM3 | 1030-1064 | 113 | 2 | 80 | 石英晶體 |
| I-M080-4C10G-4-GH60 | 1030-1064 | 113 | 4 | 80 | 石英晶體 |
| I-M068-5C10G-U5-GH100 | 1030-1064 | 113 | 5 | 68 | 石英晶體 |
| 3110-197 | 1030-1090 | 153 | 1.25 | 110 | 二氧化銻 |
| 3080-194 | 1060 | 153 | 1.75 | 80 | 二氧化銻 |
| 3120-193 (97-03248-04) | 1064 | 73 | 2.5x0.6 | 120 | 二氧化銻 |
| 3165-1 | 1300-1550 | 153 | 0.6 | 165 | 二氧化銻 |
| I-M040-2C8J-3-GH84 | 1550 | 260 | 2 | 40 | AMTIR |
| I-M041-3C2V5-4-IS8 | 2000 | 153 | 3 | 40.68 | 二氧化銻 |
| I-M041-1.4C10V5-4-GH49 | 1900-2100 | 113 | 1.4 | 40.68 | 石英晶體 |
| I-M040-2C8B1-3-GH84 | 1900-2100 | 260 | 2 | 40 | AMTIR |
| I-M0XX-XC11B76-P5-GH105 | 5.5μm | 120 | 9.6 | 40.68 - 60 | 鍺 |
| I-M050-10C11V49-P5-GH77 | 5.5μm | 120 | 7.0, 9.6 | 50 | 鍺 |
| I-M050-10C11V41-P3-GH75 | 9.4μm | 120 | 9.6 | 40/60 | 鍺 |
| I-M041-xxC11xxx-P5-GH77 | 9.4/10.6μm | 120 | 7.0, 9.6 | 40.68 | 鍺 |
| I-M050-10C11V41-P3-GH75 | 9.4μm | 120 | 9.6 | 40/60 | 鍺 |
| I-M041-XXC11XXX-P5-GH77 | 10.6/9.4μm | 120 | 9.6 | 40.68 | 鍺 |
下表列出了我們舊型號的自由空間調制器，有些我們還有庫存，大多數都有相似的替代品。如有需求，請與我們聯系。
| 型號 | 產品說明 | 驅動 |
| I-FS040-1.5C2E-1-ME1 (FS040-2E-ME1) | 630-690nm, 40MHz, 孔徑4x2mm | 集成射頻驅動 |
| I-FS040-1.5S2E-1-ME1 (FS040-2E-ME1) | 630-690nm, 40MHz, 孔徑4x2mm | 集成射頻驅動 |
| I-FS040-2C2E-3-OL3 (FS040-2E-OL3) | 633-680nm, 40MHz, 孔徑2x4mm | |
| I-FS040-2S2E-1-GH38 | 630-67nm,40MHz, 孔徑2.0mm , 15VDC 電源 | 集成射頻驅動 |
| FS040-2C-AR1 | 532nm, 40MHz, 孔徑1.5mm | 集成射頻驅動 |
| FS040-2E-AR1 | 630-690nm, 40MHz, 孔徑1.5mm | 集成射頻驅動 |
| I-M041-2.5C10G-4-GH50 | 1030-1064nm, 40.68MHz, 上升時間113ns/mm , 孔徑2.5mm , RF<20W | |
| I-M041-7C11Q-P5-GH77 | 10.6um, 40.68MHz, 上升時間120ns/mm, 有效孔徑7mm, 透過率 >96.5%, 最大 RF功率 100W | HP041-125ADG-A10 |
| I-FS080-2C2G-3-LV1 (M080-2G-LV1) | 高效率AOM,適用于不需要快速調制的激光器, RF 0.5W | A35080 N21080-1DM, N21080-1AM |
| I-FS080-3S2E-1-GH39 | 633nm, 80MHz 上移,孔徑 3mm | |
| I-M080-2.5C10G-4-GH25 | 400-540nm,110MHz, 上升時間113ns/mm ,孔徑2.5mm, RF<5W | A35080 N31080-5DM, N31080-5AM |
| I-FS110-2C2B8-3-GH2 (M110-2B/F-GH2) | 480-800nm, 上升時間150ns, 110MHz, 孔徑2mm, RF<2W | A35110, N21110-2AM, N21110-2DM |
| I-M110-2C10B6-3-GH26 (M110-10UV-OR1) | 351 to 364nm, 110MHz, 上升時間110ns, 適用于大功率的石英晶體, RF 3W | A35110 N31110-3DM, N31110-3AM |
| I-M110-2C10B6-3-GH26 | 400-540nm, 110MHz, 上升時間113ns/mm ,孔徑2mm, RF <5W | A35110 N31110-5DM, N31110-5AM |
| I-M110-2.5C10B6-3-GH26 | 400-540nm, 110MHz, 上升時間113ns/mm, 孔徑2.5mm,高損傷閾值, RF<5W | A35110 N31110-5DM, N31110-5AM |
| I-M110-3C10B6-3-GH27 | 300-400nm, 110MHz, 上升時間113ns/mm, 孔徑2.5mm , 高損傷閾值,, RF<3W | |
| I-M110-3C10B6-3-GH27 (M110-10C-TR7) | 514- 532nm, 高損傷閾值, , RF 5W | A35110 N31110-5DM, N31110-5AM |
| I-M120-0.7C2G-GH42 | 1064nm, 120MHz, 上升時間153ns/mm, 孔徑700um, RF<3W | |
| I-M150-0.4C2G-GH42 | 1064nm, 150MHz, 上升時間153ns/mm , 孔徑400um, RF<2W | |
| I-M200-0.75C2G-3-SO8 | 1064nm, 200MHz, 上升時間153ns/mm ,孔徑 0.75mm, RF<3W | |
| 12038-3-BR-TE | 二氧化硅, 多波長可用, 38MHz, 孔徑2mm, 偏轉角 6.75mrad, RF 1W | 11038-1ML |
| 12038-3-TE | 二氧化硅, 1064nm, 38MHz, 孔徑3mm, 偏轉角, 6.75mrad, RF 1W | 11038-1ML |
| 12041-3-BR-TE | 二氧化硅, 多波長可用，41MHz，孔徑2mm， 偏轉角7.3mrad，RF 1W | 11041-1ML |
| 12041-3-TE | 二氧化硅, 1064nm, 41MHz, 孔徑3mm, 偏轉角7.3mrad, RF 1.2W | 11041-1ML |
| 12050-3-BR-TE | 二氧化硅, 多波長可用, 50MHz, 孔徑2mm, 偏轉角8.9mrad, RF 1W | 11050-1ML |
| 12050-3-TE | 二氧化硅, 1064nm, 50MHz, 孔徑3mm, 偏轉角8.9mrad, RF 1.2W | 11050-1ML |
| 12080-3-BR-TE | 二氧化硅, 多波長可用,80MHz, 孔徑2mm, 偏轉角14.2mrad, RF 1W | 11080-1ML |
| 12080-3-TE | 二氧化硅, 1064nm, 80MHz, 孔徑 3mm, 偏轉角14.2mrad, RF 1.2W | 11080-1ML |
| 13389-BR | 二氧化硅, 多波長可用, 389MHz, 孔徑60um, 偏轉角41mrad, RF 0.5W | 64389-SYN-9.5-X |
| 15180-1.06-LTD-GAP | 磷化鎵, 1.06um, 180MHz, 孔徑0.3mm, 偏轉角28.7mrad, RF 1.7W | |
| 15210 | 二氧化碲, 440-850nm, 210MHz, 孔徑0.2mm, 偏轉角31mrad, RF1W | 21210-1xx |
| 15210-FOA/71002 | 二氧化碲,440-850nm , 210MHz, 孔徑0.2mm, 偏轉角31mrad, RF1W | 21210-1xx |
| 15210-FOA | 二氧化碲, 440-850nm, 210MHz, 孔徑0.2mm, 偏轉角 31mrad, RF1W | 21210-1xx |
| 15260 | 二氧化碲, 440-850nm, 260MHz, 孔徑0.2mm, 偏轉角39mrad, RF0.7W | 21260-.7xx |
| 15260-FOA/71002 | 二氧化碲, 440-850nm, 260MHz, 孔徑0.2mm, 偏轉角 39mrad, RF1W | 21260-1xx |
| 15260-FOA | 二氧化碲, 440-850nm, 260MHz, 孔徑0.2mm, 偏轉角39mrad, RF1W | 21260-1xx |
| 17389-1.06-LTD-GaP | 磷化鎵, 1.06um, 389MHz, 孔徑0.15mm, 偏轉角62mrad, RF 1W | 11389-5AM, 64389.5-SYN-9.5-X |
| 17389-.93 | 二氧化碲, 700-1064nm, 389MHz, 孔徑70um, 偏轉角 73mrad, RF 0.7W | 11389-5AM, 64389.5-SYN-9.5-X |
| 17389-.93-FOA | 二氧化碲, 700-1064nm, 389MHz, 孔徑70um, 偏轉角73mrad, RF 0.7W | 11389-5AM, 64389.5-SYN-9.5-X |
| 17440 | 二氧化碲，440-850nm wavelength, 440MHz, aperture 90um, deflection 65mrad, RF 0.8W | 11440-.8Ax |
| 17440-FOA | 二氧化碲, 440-850nm, 440MHz, 孔徑 90um, 偏轉角65mrad, RF 0.8W | 11440-.8Ax |
| 23080-1-LTD | 二氧化碲, 440-850nm, 80MHz, 孔徑1mm, 上升時間150 ns/ mm, 偏轉角11.88mrad, RF 1W | 21080-1xx |
| 23080-1-.85-LTD | TeO2, 700-1000nm wavelength, 80MHz, aperture 1mm, 150ns/mm rise time, deflection 16mrad, RF 1W | 21080-1xx |
| 23080-1-1.06-LTD | 二氧化碲, 1064nm, 80MHz, 孔徑1mm, 上升時間150ns/mm , 偏轉角 20mrad, RF<1.25W | 21080-1xx |
| 23080-1-1.06/1.3-LTD | 二氧化碲,1.06-1.3um, 80MHz, 孔徑1mm, 上升時間155ns/mm, 偏轉角24.4mrad @ 1.3um, 20mrad @ 1.06um, RF<2W @ 1.3um, <1.2W @ 1.06um | 21080-1xx |
| 23080-1-1.3-LTD | 二氧化碲，1300nm, 80MHz, 孔徑1mm, 上升時間150ns/mm , 偏轉角25mrad, RF<1.25W | 21080-1xx |
| 23080-1-1.55-LTD | 二氧化碲, 1550nm, 80MHz, 孔徑1mm , 上升時間150ns/mm, 偏轉角29mrad, RF<2W | 21080-2xx |
| 23080-2-LTD | 二氧化碲,, 440-850nm, 80MHz, 孔徑 2mm, 上升時間150ns/mm, 偏轉角11.88mrad @ 633nm, RF 1W | 21080-1xx |
| 23080-2-.85-LTD | 二氧化碲, 700-1000nm, 80MHz, 孔徑2mm, 上升時間150ns/mm, 偏轉角15mrad @ 850nm, RF<2W | 21080-2xx |
| 23080-2-1.06-LTD | 二氧化碲,1064nm, 80MHz, 孔徑2mm, 上升時間150ns/mm ， 偏轉角 20mrad, RF<2W | 21080-2xx |
| 23080-2-1.3-LTD | 二氧化碲, 1300nm, 80MHz, 孔徑2mm , 上升時間150ns/mm, 偏轉角24.4mrad, RF<3.2W | 21080-3xx |
| 23080-2-1.55-LTD | 二氧化碲,1550nm, 80MHz, 2mm aperture, 上升時間150ns/mm, 偏轉角29mrad @ 1550nm, RF<3.2W | 21080-3xx |
| 23080-3-LTD | 二氧化碲, 440-850nm, 80MHz, 孔徑3mm, 上升時間150ns/mm, 偏轉角11.88mrad @ 633nm, RF<1.2W | 21080-1.2xx |
| 23080-3-.85-LTD | 二氧化碲,700-1000nm, 80MHz, 孔徑3mm, 上升時間150ns/mm, 偏轉角 16mard @ 850nm, RF 2W | 21080-2xx |
| 23080-3-1.06-LTD | 二氧化碲,1064nm, 80MHz, 孔徑3mm, 上升時間150ns/mm, 偏轉角 20mard, RF<2W | 21080-2xx |
| 23080-3-1.3-LTD | 二氧化碲,1300nm, 80MHz, 孔徑3mm, 上升時間150ns/mm , 偏轉角24.4mard, RF<4W | 21080-4xx |
| 23110-.5 | 二氧化碲, 440-850nm, 110MHz, 孔徑0.5mm, 上升時間150ns/mm , 偏轉角16.3mard @ 633nm, RF<1W | 21110-1xx |
| 23110-1-LTD | 二氧化碲, 440-850nm, 110MHz, 孔徑1mm, 上升時間150ns/mm, 偏轉角16.34mard @ 633nm, RF<1W | 21110-1xx |
| 24080-1 | 六氟化硫, 440-850nm, 80MHz, 孔徑1mm, 上升時間185ns/mm , 偏轉角14.4mrad @ 633nm, RF<1W | 21080-1xx |
| 26035-2-1.55-LTD | AMTIR, 1300-1600nm, 35MHz, 孔徑2mm, 上升時間260ns/mm, 偏轉角 20.6mard @ 1550nm, RF<0.5W | 21035-0.5xx |
| 26055-1-1.55-LTD | AMTIR, 1300-1600nm , 55MHz, 孔徑1mm, 上升時間260ns/mm, 偏轉角32.4mard @ 1550nm, RF<0.5W | 21055-0.5xx |
| 35085-.5 | 熔融石英, 400-540nm, 85MHz, 孔徑0.5mm, 上升時間110ns/mm , 偏轉角5mrad @ 514nm, RF<6W | 31085-6xx |
| 35085-0.5-350 | 熔融石英, 300-400nm, 85MHz, 孔徑0.5mm, 上升時間110ns/mm, 偏轉角5mrad@350nm, RF<6W | 31085-6xx |
| 35085-3 | 熔融石英, 400-540nm, 85MHz, 孔徑3mm, 上升時間110ns/mm, 偏轉角5mrad @ 488nm, RF 6W | 31085-6xx |
| 35085-3-350 | 熔融石英, 300-400nm, 85MHz, 孔徑3mm, 上升時間110ns/mm, 偏轉角5mrad @ 350nm, RF 3W | 31085-6xx |
| 35110-2-244 | KrF級熔融石英, 244nm, 110MHz, 孔徑2mm, 偏轉角4.5mrad, RF 2W | 21110-2xx |
| 35110-2-244-BR | KrF級熔融石英, 244-260nm, 110MHz, 孔徑2mm, 偏轉角4.5mrad @ 244nm, RF 4W | 31110-4xx |
| 35110-3-244-BR-KRF | KrF級熔融石英, 244-260nm, Brewster窗口, 110MHz, 孔徑 2mm, 偏轉角4.5mrad @ 244nm, RF 4W | 31110-4xx |
| 35210-BR/71004 | 熔融石英, 300-700nm, 210MHz, 孔徑0.13mm, 偏轉角17mrad, RF 6W | 31210-6xx |
| 35210-BR | 熔融石英, 300-700nm, 210MHz, 孔徑0.13mm, 偏轉角17mrad, RF 6W | 31210-6xx |
| 35250-.2-.53-XQ | 石英晶體, 532nm, 250MHz, 孔徑 0.2mm, 偏轉角23mrad, RF 6W | 31250-6xx |
| 37027-3 | 鍺,10.6um, 27.12MHz, 孔徑3mm, 偏轉角52mard, RF 30W | 39027-30DSA05 |
| 37027-5 | 鍺,10.6um, 27.12MHz, 孔徑5mm, 偏轉角 52mrad, RF 30W | 39027-35DSA05 |
| 37027-8-10.6 | 鍺, 10.6um, 27.12MHz, 孔徑8mm, 偏轉角52mard, RF 50W | 39027??? |
| 37040-5 | 鍺, 10.6um, 40MHz, 孔徑 5mm, 偏轉角78mard, RF 35W | 39040-35DSA05-A |
| 37041-8-4.5 | 鍺,4-5um, 40.68MHz, 孔徑8mm, 偏轉角33mard, RF 15W | 39040-35DSA05-A??? |
| 47040-5-.7-RA | 二氧化碲, 655-850nm, 40MHz, 孔徑5mm, 偏轉角47mrad, RF<0.6W | |
| 48060-8/4-1.0-COL | 二氧化碲, 800-1200nm, 54-84MHz, 孔徑 8x2mm, 偏轉角23mrad, RF<100mW | |
| MFS030-3S2C-5-6.5DEG | 二氧化碲, 532nm, 30MHz, 孔徑3mm, 上升時間1us/mm, 偏轉角24mrad, RF<0.2W | MLP030-1DC MLP030-1AC-A1 (Former 21xxx-Yzz) |
| MFS030-3S2E-5-6.5DEG | 二氧化碲,633nm, 30MHz, 孔徑3mm, 上升時間1us/mm, 偏轉角 28mrad, RF<0.8W | MLP030-1DC MLP030-1AC-A1 (Former 21xxx-Yzz) |
| MFS040-35/13S2C-3 | 二氧化碲, 532nm, 40MHz, 孔徑35x13mm, 上升時間1us/mm, 偏轉角34.4mrad, RF<1.2W | |
| MFS050-3S2C-5-6.5DEG | 二氧化碲, 532nm, 50MHz, 孔徑3mm, 上升時間1us/mm, 偏轉角40mrad, RF<0.5W | |
| MFS050-5S2E-5-6.5DEG | 二氧化碲, 633nm, 50MHz, 孔徑5mm, 上升時間1us/mm, 偏轉角48mrad, RF<1.5W | MLP050-1.5DC MLP050-1.5AC-A1 (Former 21xxx-Yzz) |
| MFS080-35/5S2C-3 | 二氧化碲, 532nm, 80MHz, 孔徑35x5mm, 上升時間1us/mm, 偏轉角68.9mrad, RF<4W | |
| MFS100-2C4BB-5 | 熔融石英, 300-400nm, 80-120MHz, 孔徑2mm, 偏轉角2.4mrad @ 355nm, 6mrad @ 100MHz @ 355nm, RF<6W | |
| MFS160-5/13S2C-3 | 二氧化碲,532nm, 160MHz, 孔徑5x13mm, 上升時間1us/mm , 偏轉角138mrad, RF<2W | |
| MFS400-.2C2V13-5 | 二氧化碲,650nm, 350-450MHz, 孔徑0.2mm, 偏轉角15.2mrad, 偏轉角 61mrad @ 400MHz, RF<1W | |
| MFS500-.2C2B26-5 | 二氧化碲, 490-500nm, 450-550MHz, 孔徑0.2mm, 偏轉角11.6mrad @ 495nm, 偏轉角58mrad @ 495nm @ 500MHz, RF<0.8W | |
| MM200-.2C17B34-5 | 磷化鎵, 1.06-1.7um, 200MHz, 孔徑0.2mm, 偏轉角31.8mrad @ 1.06um, 51mrad @ 1.7um @ 500MHz, RF<2W | |
| MPP389-.15C17G-C-FOA | 磷化鎵, 1.06um, 389MHz, 孔徑150um, 偏轉角62mrad, RF<2.5W 占空比 <20%， RF 持續時間 <200nsec | |
| MTF096-2S2B43-3-1ST/-1ST | 二氧化碲, 1.5-1.6um, 52.5-56.1MHz, 孔徑2mm, 偏轉角 7.4度, RF<4W | |
| MTF096-2S2B43-3-1ST/-1ST-1.2 | 二氧化碲, 1.5-1.6um, 92.53-98.89MHz, 孔徑2mm, 分辨率 2.5nm, 偏轉角7.4度, RF<4W | |
| MTF096-2S2B43-3-1ST/-1ST-2.5 | 二氧化碲, 1.5-1.6um, 92.53-98.89MHz, 孔徑2mm, 分辨率2.5nm, 偏轉角7.4度, RF<4W | |
| I-M041-xxC11xxx-P5-GH77 | 鍺, 9.4um 或 10.6um, 40.68MHz, 孔徑 9.6mm, RF功率 120W | HP041-125ADG-A10 |
| I-M041-10C11Q-P5-SY1 | 單晶體, 10.6um, 40.68MHz, 孔徑6-8mm, RF功率100W | A25041-x-5/600-s4k7u |
| I-M080-2C10G-4-AM3 | 石英晶體 1030-1064nm, 80MHz, 孔徑2mm, 線性偏振, 壓縮性, 85%衍射效率, RF功率 15W | |
| I-M080-2.5C10G-4-AM3 | 石英晶體, 1030-1064nm, 80MHz, 孔徑2.5mm, 線性偏振, 壓縮性, 80%衍射效率, RF 功率15W | |
| 97-03388-03R1 (5080-296) | 石英晶體, 1064nm, 80MHz, 孔徑1.5mm, 線性偏振, 壓縮性, 80%衍射效率, RF功率 20W | |
| 97-03388-02R2 (5041-296) | 石英晶體, 1064nm, 40.68MHz, 孔徑1.5mm, 線性偏振, 壓縮性, 80%衍射效率, RF 功率 20W |
STBR系列帶射頻驅動的自由空間聲光調制器AOM是用來改變和控制激光光束強度、頻率調制、頻移、控制脈沖及切換時間等。波長范圍涵蓋紫外到長波紅外(LWIR)，頻率范圍涵蓋從僅幾兆赫到3.5 GHz，適用于低光功率和高光功率應用。我們利用電子編程將微電子處理器直接與射頻驅動連接?？赡M或數字輸入控制所有的射頻驅動的必要的組件。我們的自由空間AOM包裝牢固其耐濕性和耐溫性都很優良，非常適用于實驗室和各種設備制造商。
主要特點
緊湊的集成設計
寬光譜波長范圍
低射頻功耗
快速切換速度
高帶寬
高衍射效率
良好的溫度穩定性
應用領域
TTL/數字調幅
模擬調幅
照片處理
激光顯示
微加工
脈沖選擇
OEM設計
主要型號和參數
| 型號 | 光譜范圍 (nm) | 上升時間(ns) | 有效通光孔徑 (mm) | 調制帶寬 (MHz) | DE (%) |
| TEM-85-2 | 380-1600 | 280 | 2.0 | 2 | 80 |
| TEM-85-10 | 380-1600 | 55 | 1.0 | 10 | 80 |
| TEM-110-25 | 380-1600 | 22 | 0.5 | 25 | 80 |
| TEM-200-50 | 380-1600 | 10 | 0.3 | 50 | 70 |
| TEM-400-100 | 380-1600 | 5.5 | 0.075 | 100 | 50 |
| TEM-800-200 | 380-1600 | 3 | 0.05 | 200 | 35 |
| AMM-27-2 | 1000-2500 | 300 | 1 | 1.8 | >80 |
| AMM-80-4 | 1000-2500 | 160 | 1 | 4 | >80 |
| AMM-100-8 | 1000-2500 | 68 | 0.3 | 8 | >80 |
| FQM-80-2 | 200-1300 | 195 | 1.6 | 2.8 | 70 |
| FQM-80-20 | 200-1300 | 30 | 1 | 18 | 70 |
| FQM-200-40 | 200-1300 | 14 | 0.3 | 40 | 70 |
| GEM-40-4 | 2000-11,000 | 125 | 1.5 | 5 | 70 |
| GPM-200-50 | 600-1600 | 11 | 0.3 | 50 | >75 |
| GPM-400-100 | 600-1600 | 5.1 | 0.1 | 108 | >65 |
| GPM-800-200 | 600-1600 | 2.6 | 0.05 | 217 | >40 |
| GPM-1600-400 | 600-1600 | 1.4 | 0.025 | 400 | >25 |
| IPM-200-26 | 1000-1600 | 21 | 0.3 | 26 | 60 |
| IPM-400-100 | 1000-1600 | 5 | 0.075 | 100 | 50 |
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